功率墙：将功率引入芯片并从芯片封装中提取热量慢慢的变具有挑战性，因此我们一定要开发改进的功率传输和冷却概念。...

　　设备功能：将两片晶圆互相结合，并使表面原子互相反应，产生共价键合，合二为一，是实现3D晶圆堆叠的重要设备。...

　　多年来，CMOS 图像传感器供应商一直在使用它。为制造图像传感器，供应商在工厂中处理两个不同的晶圆：第一个晶圆由许多芯片组成，每个芯片由一个像素阵列组成；第二个晶圆由信号处理...

　　运输一台光刻机，需要用40多个恒温恒湿专用箱、专业防震气垫车来运输，以及4架次的波音747货机。...

　　选择元器件时应第一先考虑国产化的元器件，避免选择国外定制或敏感度较高的器件，若发生突发状况，将影响元器件的采购。原材料的选择应从材料的物理和化学特性多方面作为基本的设计准...

　　电子封装是芯片成为器件的重要步骤，涉及的材料种类非常之多，大量材料呈现显著的温度相关、率相关的非线性力学行为。 相关工艺过程中外界载荷与器件的相互作用呈现典型的多尺度、多物理...

　　研究团队应用该液态金属密封复合材料对基于水系电解质的可拉伸锂离子电池进行封装和性能测试（图2A, B）。测试发现，在自然未拉伸状态下，封装的锂离子电池可逆容量为105.5 mAh/g，经500次...

　　带保护环的SiC屏蔽DMOSFET的模拟 A.Kanale和B.J.Baliga，“加强短路电流抑制方法的比较”1.2kV SiC功率MOSFET的性能研究：一种采用串联门极器件的新方法源-短Si耗尽模MOSFET vsa系列电阻的使用...

　　ASML 称之为超数值孔径的研发正在进行中，因此更具体的光学器件，尚不清楚它是否会起作用。距生产还有 10 年的时间，但这正是研发已经在进行的地方，如果我们要在越来越复杂的芯片上制造...

　　氮化镓外延片生长工艺较为复杂，多采用两步生长法，需经过高温烘烤、缓冲层生长、重结晶、退火处理等流程。两步生长法通过控制温度，以防止氮化镓外延片因晶格失配或应力而产生翘曲，...

　　生长在c面生长表面上的c面氮化镓基半导体层由于自发极化和压电极化而产生内电场，这降低了辐射复合率。为避免这样的极化现象，正在进行对非极性或半极性氮化镓基半导体层的研究。...

　　第三代半导体材料禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势。因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件能在更高的温度下稳定运行，适用于高电压、...

　　中国氮化镓芯片市场占据全球约 %的市场占有率，为全球最主要的消费市场之一，且增速高于全球。2021年市场规模约 亿元，2017-2021年年复合增长率约为 %。...

　　电子发烧友网报道（文/黄山明）近日商务部公开表示，2022年以电动汽车、光伏产品、锂电池的出口为代表，中国高技术、高的附加价值、引领绿色转型的产品成为出口新增长点。同时，跨境电子商务、...

　　芯片上的集成主要以2D为主，晶体管以平铺的形式集成于晶圆平面；同样，PCB上的集成也是以2D为主，电子元器件平铺安装在PCB表面，因此，二者都属于2D集成。而针对于封装内的集成，情况就要...

　　电子发烧友网报道（文/刘静）近日，证监会发布重磅利好消息，长期资金市场于2月1日开始全方面实行股票注册制改革。注册制相较过去的核准制，发行上市条件得到了大幅的优化，繁琐的审核程序也...

　　SMT贴片转线的最大的目的是规范化转线作业，合理规划利用有限资源，节省转线时间，降低人为异常。尤其是在样品小批量贴片加工厂，转线是非常频繁的。那么SMT贴片转线要注重的是什么？...

　　碳化硅技术壁垒分析：碳化硅技术壁垒是什么 碳化硅技术壁垒有哪些 碳化硅芯片不仅是一个新风口，也是一个很大的挑战，那么我们来碳化硅技术壁垒分析下碳化硅技术壁垒是什么？碳化硅技...

　　在芯片制造制程和工艺演进到某些特定的程度、摩尔定律因没有合适的抛光工艺无法继续推进之时，CMP技术应运而生，是集成电路制作的完整过程中实现晶圆表面平坦化的关键工艺。传统的机械抛光和化学抛...

　　近期英特尔正在积极与特定PC品牌客户洽谈，降价求售上一代Alder Lake处理器。上一代i9处理器降价幅度最大，价差高达70-80美元，降幅约2成；降幅第二大为i7处理器，降价40-50美元。...

　　在20nm 工艺节点之后，传统的平面浮栅 NAND 闪速存储器因受到邻近浮栅 -浮栅的耦合电容干扰而达到了微缩的极限。为实现更高的存储容量，NAND集成工艺开始向三维堆叠方向发展。在三维NAN...

　　随着摩尔定律的放缓，芯粒（Chiplet）和异构集成 (HI：heterogenous integration) 提供了一种令人信服的方式来继续改进性能、功耗、面积和成本 (PPAC)，但是选择连接这些设备的最佳方式以使它们以一...

　　将硅锭切成1mm左右一片片的wafer（晶圆）。晶圆尺寸有大有小，比如8inch, 12inch的晶圆，光刻的时候直接刻整个圆，然后切下来好多小芯片。...

　　评价微波介质陶瓷介电性能的参数主要有３个，相对介电常数(εr)、品质因数(Ｑ·ｆ)及谐振频率温度系数(τf)。应用于微波电路的介质陶瓷，除了必备的机械强度、化学稳定性及经时稳定性外，...

　　和普通双极型晶体管相比，MOS管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势，在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域得到了越来越...

　　抛光液必须现场调配，立即使用。经过测量容积或液位实时确保各种成分的配比，实现现配现磨。先进的芯片制程采用非接触式的称重计量法来做配比，采用自动化的高精密称重模块来实现每次...

　　模糊控制在智能制造自动化控制管理系统中得以广泛应用。精准的智能化自动控制系统，可以批量、集中处理大量的信息和复杂的工作任务，来提升企业内产品生产的效率、技术指标等。...

　　在当前先进工艺开发的大型SoC中，根据基本功能划分出计算、存储、接口等不同模块，每个模块选择最合适的工艺制造完成后，再通过封装技术组合在一起，慢慢的变成了了一种常见选择。...